FinFET工艺是intel在2011年的时候提出来，也叫做鳍式场效应晶体管，当时主要用于22nm的芯片制造中。

与之前的平面型MOSFET结构相比，FinFET晶体管可以大幅改善电路控制并减少漏电流（leakage），也可以大幅缩短晶体管的栅长，这样让芯片制程更先进。

后来看到这种晶体管的好处之后，台积电、三星等均跟进，而FinFET工艺术也不断推进，现在哪怕是在5nm的芯片中，台积电、三星均使用FinFET工艺，甚至台积电在3nm制程时，还会使用FinFET工艺，只有三星表示在3nm时要切换成GAAFET工艺。

但是，让人没有想到的是，这种在10年前就提出来的工艺，国内（大陆）却一直并没有真正的掌握，国内边一条FinFET工艺生产线都没有。

直到中芯量产了14nm技术之后，建立FinFET生产线才提上议程，毕竟中芯的14nm工艺也是基于FinFET技术的。

而近日，有媒体报道称，大陆第一条FinFET生产线要来临了，那就是中芯南方将在上海总投资90.59亿美元，建立12英寸芯片的SN1项目。

这个项目规划月产能 3.5 万片，已建设月产能6000片，是中国大陆第一条 FinFET 工艺生产线，也是中芯国际 14 纳米及以下先进工艺研发和量产的主要承载平台。

虽然说起来目前FinFET工艺，其实已经算是落后的工艺了，毕竟已经有10年之久了，但不管怎么样，对于本来就落后的中国芯片制造而言，也算是一种进步了。

而FinFET工艺用于14nm、10nm、7nm、5nm芯片，还是非常不错的技术，所以这条生产线建立，也是可以一直服务至5nm工艺。

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